全球移动存储领导厂商朗科公司日前发布了其最新技术研究成果——“优芯II号”。这是该公司继2003年7月发布“优芯I号”之后，在闪存盘核心技术研究方面获得的又一次突破。
据悉，该控制芯片将闪存盘的读写速度从USB1.1标准下的理论速度1.2MB/S、1 MB/S提高到了20MB/S、16MB/S以上，显著提高了20倍；同时，考虑到数据存储的安全性，它还采用了朗科独创的超稳定技术与加密技术，前者通过固化在闪存盘控制芯片中的数据智能备份与恢复软件，有效避免了闪存盘正在进行数据写操作时被非法拔插或突然掉电后，有可能造成闪存盘内已存数据丢失、甚至损坏闪存盘的弊病，该技术将闪存盘的存储安全性提高到了前所未有的高度。
此举不仅再一次刷新了闪存盘实际读写速度的最高记录，也进一步巩固了朗科公司在闪存盘领域全球领先的技术地位。与此同时，随着读写速度与存储安全性的双双提升，闪存盘主流市场在512M以上容量的突破方面所遭遇的速度与安全性瓶颈也将不复存在。这也预示着闪存盘行业将从此步入以G为单位的新时代。
自1999年朗科公司研发出世界第一款闪存盘以来，闪存盘市场仅用了三年时间就走完了8M、16M、32M、64M、128M共五个发展阶段。但进入2003年以后，闪存盘市场主流容量就一直徘徊于128M与256M之间，至今市场主流容量也未能突破512M。造成这一现象的主要原因有两个，一是读写速度，另外一个是存储的安全性。
据了解，目前市场上使用的闪存盘90%是基于USB1.1标准，其实际数据传输速度只有500KB/S~1MB/S左右，少数采用USB2.0标准的闪存盘的读写速度也不超过10MB/S。这意味着要存储1G容量的文件，通常需要花费半小时甚至更长的时间。这无疑大大降低了用户购买大容量闪存盘的积极性。
与此同时，随着容量的大幅度提升，用户对数据安全性也提出了新的要求。以往不少闪存盘正在进行数据写操作时，被非法拔插或突然掉电后，有可能造成闪存盘内已存数据丢失、甚至损坏闪存盘。对于小文件传输，这一点似乎不足为患，因为小文件通常很容易备份，但在闪存盘步入G时代之后，存储的数据资料比以往成倍增加，备份的麻烦显而易见，这也成了闪存盘步入G时代的另一个障碍。
朗科“优芯II号” 在读写速度与安全性方面的杰出表现，无疑将闪存盘市场以“M”为单位的时代画上了句号，也为闪存盘产业的发展竖立了一块新的里程碑。
（新闻稿 朗科提供 2005-09-05）